单晶硅是制造发展半导体硅装置的原料，用于生产制造一个大功率整流器、大功率输出晶体管、二极管、开关控制装置等。是一种很有前途的能源开发材料。单晶硅根据不同晶体生长研究方法可以分为一个直线拉法（CZ）、区域熔解（FZ）和外延法。采用直拉法、球熔法生长单晶硅棒，采用外延法生长单晶硅膜。生长在直线拉法的单晶硅主要可以用于研究半导体技术集成系统电路、二极管、外延基板和太阳能电池。

单晶硅建设项目有着巨大的市场和广阔的发展空间。地壳中的硅含量为25.8% ，为单晶硅片生产提供了无尽的来源。各种晶体材料，特别是以单晶硅为代表的高科技增值材料和相关高科技产业的发展已经成为我们当代中国信息进行技术产业的支柱，使信息服务产业成为一个世界市场经济社会发展中增长较快的先导产业。单晶中的硅潜力很大，作为急需开发的高科技资源，引起了越来越多的关注和重视。

单晶硅用途的是什么？下面我们大家一起来分析一下。单晶硅主要用于制造半导体元件。

用途：是制造半导体硅器件的原料，用于制造大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。

熔化的单质硅凝固时，硅原子用钻石晶格排列成一个多个晶核，如果我们这些作为晶核生长成晶面方向发展相同的晶核，则这些产生晶核形成平行研究结合，结晶成单晶硅。单晶硅片的制备方法通常是先制备多晶硅或非晶硅，然后通过线性拉伸或悬浮区熔化在熔体中生长棒状单晶硅片。

单晶硅是生产单晶硅的原材料，随着我国国内和国际经济市场对单晶硅的需求发展迅速通过增加，单晶硅棒的市场信息需求方面也有迅速增加的趋势。单晶硅晶片按直径分为6英寸、8英寸、12英寸(300mm)、18英寸(450mm)等。直径越大的原版能漏的集成系统电路信息越多，芯片进行成本也就越低。但是大型芯片也需要大量的材料和技术。单晶硅根据晶体拉伸方法分为直线拉法（CZ）、区域熔解（FZ）和外延法。直线拉法，区域熔化法增加单晶硅棒，外延法拉伸单晶硅薄膜。直线拉法延伸的单晶硅主要可以用于研究半导体技术集成系统电路、二极管、外延基板、太阳能电池。晶体直径可以控制在3至8英寸。区域进行熔解单晶作为主要可以用于通过高压大功率控制整流器领域，广泛研究应用于大功率输电变电、电力机车、整流、变频、机电信息一体化、节能灯、电视等系列文化产品。晶体结构直径进行可控制为 3 ~ 6英寸。外延芯片主要可以用于集成电路设计领域。

由于成本和性能原因，直拉单晶硅材料是较广泛使用的。IC工业中使用的主要材料是CZ涂层和外延板。内存电路一般使用CZ抛光，因为成本低。逻辑电路通常使用更昂贵的外延薄膜，因为它在IC制造中具有更好的适用性和锁存去除。硅直径越大，技术发展要求水平越高，市场经济前景越高，价值也越高。