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多晶硅切割技术常见方法

多晶硅切割技术常见方法

  • 分类:行业新闻
  • 作者:
  • 来源:
  • 发布时间:2022-05-06
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【概要描述】目前多晶硅切割有两种: 内圆切割和自由磨料多丝切割,而固定磨料线锯是用直线刀具代替环形刀具进行内圆切割。在这两种切割方式中,前者是传统的硅片加工方式,其缺点是材料利用率只有40% ~ 50%

多晶硅切割技术常见方法

【概要描述】目前多晶硅切割有两种: 内圆切割和自由磨料多丝切割,而固定磨料线锯是用直线刀具代替环形刀具进行内圆切割。在这两种切割方式中,前者是传统的硅片加工方式,其缺点是材料利用率只有40% ~ 50%

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  目前多晶硅切割有两种: 内圆切割和自由磨料多丝切割,而固定磨料线锯是用直线刀具代替环形刀具进行内圆切割。

  在这两种切割方式中,前者是传统的硅片加工方式,其缺点是材料利用率只有40% ~ 50%。同时,由于结构的限制,这种方法不能加工直径大于200 mm的硅片。

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  后者是近年经济发展结合起来的一种研究新型硅片切割处理技术,它通过建立一系列钢丝带动碳化硅研磨料进行充分研磨加工来切割硅片

  多晶硅切割的影响因素

  多晶硅切割研究就是可以通过经济高速发展运转的钢丝带动由聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆,并把它们送到切割不同区域,与压在丝网上的硅锭连续不断发生贸易摩擦,Z终完成自己切割的过程。

  在多晶硅切割过程中,切削液的粘度、碳化硅粉末的尺寸和形状、砂浆的流速、钢丝的张力和钢丝的速度是影响硅片产量和质量的主要因素。

  1.多晶硅切割切削液的粘度

  多晶硅切割过程中,切削液主要起到悬浮和冷却的作用。只有当切削液的粘度满足机器的要求时,碳化硅粉末才能均匀地悬浮在其中,砂浆才能通过砂浆管道随钢丝稳定地进入切割区域。

  2. 碳化硅粉末的粒度和形状

  硅片的切割本质上是钢丝和碳化硅粉末的结果。微粉的粒径和粒径与截面表面质量和切割能力直接相关。晶粒型规律,从晶片表面切割光洁度好,粒径分布均匀,晶片切割能力将会提高。

  3.砂浆的流量

  在多晶硅切割过程中,利用砂浆泵将砂浆从料箱输送到喷砂喷嘴,再由喷砂喷嘴将砂浆喷高速移动钢丝上。 为了保证切割的顺利进行,必须严格控制砂浆的流量,如果流量不均匀或不能跟上流量,切割能力将严重下降。 导致线痕、断线、机器报警直至产品报废。

  4.钢丝的张力

  翘曲是硅片的一项重要质量指标,钢丝张力对硅片质量的影响是导致翘曲的主要原因。芯片翘曲不仅大大增加了后续的研磨抛光时间,而且严重影响了芯片的加工效率和加工成本。

  实验结果表明,张力越高翘曲越低,但张力越高越容易断丝,会降低导轮的使用寿命。因此,需要在满足切片要求的情况下,适当调整钢丝的张力。一般加工时张力值设定在15 ~ 30 N为宜。张力过小,会导致钢丝弯曲度增大,携砂能力下降,切割能力下降。

  除了对切片翘曲度的影响企业之外,张力的波动可能还会直接导致我国相邻晶片间的ZX厚度分布不均匀,影响进行切片厚度的一致性和精确性。

  5.钢丝的速度

  采用单向或双向钢丝行走的机器,它们对灯丝速度的要求是不同的。单向电线行走,电线速度恒定,易于控制,目前在MB和HCT机器。

  1.多晶硅切割加工机构

  多晶硅切割技术是当今世界上一种先进的硅片加工技术,其切割原理是通过钢丝的高速运动来驱动附着在钢丝上的切割磨料(包括自由磨料和固结磨料)对半导体和其他硬脆材料进行摩擦,以达到切割效果。

  2.多线切割机主要由放线辊、加工辊、导轮系统、张力控制系统、工作台进给系统和砂浆供应系统组成,如下图所示。

  一般情况下,线单向加工的硅片表面质量较差,可作为太阳能光伏产业的衬底;线往复加工的硅片表面质量好,可作为集成电路产业的衬底。

  以上介绍的就是多晶硅切割技术常见方法。如需了解更多,可随时联系我们!我公司有多年的经验,随时期待您的加入。


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