多晶硅切割厂家解说晶圆的生产工艺流程
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- 来源:
- 发布时间:2022-05-03
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【概要描述】从大的方面来说,晶圆生产包括晶圆制造和晶圆制造两个主要阶段,可以细分为以下主要工序(其中晶圆制造只包括下面的一道工序,其余都是晶圆制造,因此有时也称为晶圆切片后处理工序)。下文多晶硅切割厂家解说晶圆的生产工艺流程。
多晶硅切割厂家解说晶圆的生产工艺流程
【概要描述】从大的方面来说,晶圆生产包括晶圆制造和晶圆制造两个主要阶段,可以细分为以下主要工序(其中晶圆制造只包括下面的一道工序,其余都是晶圆制造,因此有时也称为晶圆切片后处理工序)。下文多晶硅切割厂家解说晶圆的生产工艺流程。
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从大的方面来说,晶圆生产包括晶圆制造和晶圆制造两个主要阶段,可以细分为以下主要工序(其中晶圆制造只包括下面的一道工序,其余都是晶圆制造,因此有时也称为晶圆切片后处理工序)。下文多晶硅切割厂家解说晶圆的生产工艺流程。
多晶硅切割厂家说说生长过程,可细分为:
1).熔解(Melt Down)
将块状高纯复晶硅放入石英锅内,加热至熔点1420以上,完全融化。
2).颈部生长(Neck Growth)
硅熔合的温度稳定后,慢慢插入“1.0.0”方向的晶种,然后慢慢向上提起晶种,将直径减小到一定大小(通常约6毫米),保持该直径,增加100-200毫米,消除晶种内晶粒排列方向的差异。
3).冠长(Crown Growth)
脖子长大后,慢慢降低上升速度和温度,使脖子直径增大到所需大小(如5、6、8、12英寸等)。
4).晶状体生长(Body Growth)
不断调整上升速度和熔体温度,保持固定的结晶杆直径,只保持结晶杆长度.达到预定值。
5).尾巴生长(Tail Growth)
结晶棒长度达到预定值后,逐渐加快速度,提高熔体温度,使结晶棒直径越来越小,防止热应力引起的排差和滑移等现象,完全分离结晶棒和液面。由此可以得到完整的决定峰。
2.多晶硅切割和测试
将生长的结晶棒去除直径较小的头部和尾部,检查尺寸,确定下一次加工的工艺参数。
3.外部直径磨削(surface grinding & amp沙平)
在结晶棒生长过程中,外径尺寸和圆度都不统一,外源圆柱体也凹凸不平,所以要打磨和打磨外径,使大小和形状误差小于允许偏差。
4.切片(Wire Saw Slicing)
因为硅的硬度很大,所以在此过程中,使用环形、内径边缘嵌有晶粒的薄锯片,将晶粒切薄。
5.圆边(Edge Profiling)
由于刚刚切割的芯片外部边缘尖锐,硅单晶又是一种脆性材料,为了防止角破裂影响硅片强度,消除硅片表面的光泽,给后工序带来污染颗粒,必须使用专用的计算机控制装置自动细化硅片边缘形状和外径尺寸。
6.抛光(Lapping)
多晶硅切割厂家认为磨削的目的是消除切割时晶片表面出现的锯痕和破损,从而制作晶片手表
面达到所需的精加工。
7.蚀刻(Etching)
用化学蚀刻方法,经过几个工序加工后,去除硅片表面因加工应力造成的损伤层。
8.吹毛求疵
多晶硅切割通过喷砂,感受晶片的缺陷和缺陷为下半层,便于后序加工。
9.光泽(Polishing)
通过对晶片的边缘和表面进行平滑处理,进一步去除附着在晶片上的颗粒,多晶硅切割厂家认为为了便于以后谈论的晶片处理工艺的加工,获得了良好的表面平整度。
10.清洁(Cleaning)
之后彻底清洁和干燥加工的芯片。
11.检查(Inspection)
进行全面检查,使产品达到规定的尺寸、形状、表面光洁度、平整度等技术规范。
12.多晶硅切割厂家说说包装
将成品分离、包装、包装成柔性材料,准备从下面的芯片制造厂或工厂发送给订货客户。
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