碳化硅线切割方法，涉及碳化硅晶体的技术领域，用于解决现有碳化硅线切割方法方法成本高、效率低、表面粗糙的技术问题。根据碳化硅结晶结晶结构决定劈开方向或平面的工序：根据碳化硅结晶的样品的大小和形状决定切断所需的轨迹的工序、使用特殊的加工工序在轨迹上制作一定深度的槽的工序、对制作的槽的位置施加力的工序、使碳化硅结晶急速热两面碳化硅的小单晶。 两面碳化硅的小单晶。 作为第三代宽带隙半导体材料的成员的碳化硅(sic )材料与通常的硅(si )或砷化镓(gaas )半导体材料相比，具有宽带隙、高载流子饱和移动速度、高热导率、高临界击穿电场强度等多个基于这些优异的性能，碳化硅是高温电子器件、高频大功率器件的理想材料。下面就来了解一下碳化硅线切割方法技术。

　　2.7 为高硬度(莫氏硬度9.3 )，碳化硅极为重要且稳定，在空气中可提高1000的耐高温性。 另外碳化硅材料有200多种晶型，每种方法都有不同的物理化学结构性质，颜色略有不同，混入不同的杂质和杂质时，碳化硅颜色更加丰富多彩。 因此碳化硅晶体也必须非常适合制作宝石。

　　碳化硅在晶体生长过程中，容易存在孪晶、多晶、多态性、微管、碳膜、六方晶等各种缺陷。 这些缺陷对碳化硅衬底的质量有一定的影响，但对后续外延片和器件的产率和稳定性也有一定的影响。 为了抑制缺陷的形成，需要对缺陷进行相应的检查和分析，得出相应的解决方案。 因此，缺陷部分的采样需要准确的位置和光滑的表面，便于检测和分析。

　　但目前碳化硅晶体主要采用碳化硅线切割方法，在所需位置获得样品，并对切割后的粗糙表面进行机械抛光。 为了得到比较光滑的纵向截面，整体工艺耗时、加工工序多、成本高后得到的研磨面仍然不理想。 一种碳化硅线切割方法，其特征在于，包括：根据结晶结构决定特定的碳化硅结晶的劈开方向或劈开面的和根据该结晶结构决定特定的碳化硅结晶的劈开方向或劈开面的，根据应加工碳化硅结晶的样品的尺寸和形状，决定应切断的轨迹，使用特定的加工工艺，在所决定的轨迹上形成一定深度的槽，对所形成的槽的位置施加力，实施急速热处理，进行根据权利要求所述碳化硅晶体的切断方法，其中碳化硅晶体包含六方晶锌矿结构这两种结构的多态性a文章长度。

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